微電子器件的典型故障分析方案要求能夠通過(guò)硅片無(wú)損檢查電路圖，同時(shí)保持成品的機(jī)械整合性。無(wú)損技術(shù)（如近紅外光譜中的顯微成像）可直接通過(guò)厚度不超過(guò)650μm的硅片進(jìn)行檢測(cè)。應(yīng)用包括產(chǎn)品內(nèi)部的短路檢查（燒蝕標(biāo)記、壓力指標(biāo)等）、鍵合對(duì)準(zhǔn)（薄鍵合電路）、電氣試驗(yàn)后檢查（任何失效）和芯片損壞（材料缺陷、污染等）。
大多數(shù)失效分析和研發(fā)實(shí)驗(yàn)室對(duì)缺陷測(cè)量、報(bào)告創(chuàng)建和圖像存檔的要求都需要數(shù)字解決方案。鑒于本應(yīng)用的固有性質(zhì)，真實(shí)對(duì)比度極低，必須通過(guò)圖像分析軟件進(jìn)行優(yōu)化。照明的不均勻性會(huì)導(dǎo)致圖像四角向中心漸暈或變暗，必須采用數(shù)字手段從實(shí)時(shí)視圖和捕獲圖像中予以消除。反射光顯微鏡非常適合于從上方照亮樣品，但透射光IR設(shè)計(jì)為通過(guò)硅片從樣品下方照亮樣品，從而增強(qiáng)對(duì)比度。因此，透射光尤其適用于通過(guò)硅片檢查圖形對(duì)準(zhǔn)或框標(biāo)。